ترانزستور ثنائي القطب: الفرق بين النسختين
| [نسخة منشورة] | [نسخة منشورة] |
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
Michel Bakni (نقاش | مساهمات) |
Michel Bakni (نقاش | مساهمات) |
||
سطر 244:
| تاريخ الوصول= 10 نوفمبر 2018}}</ref> بعد ذلك بأربعة أعوام، وتحديداً في العام 1956م، حصل المُخترعون الثلاثة على [[جائزة نوبل في الفيزياء]] بسبب "أبحاثهم على أشباه الموصلات ولاكتشاف تأثير الترانزستور".{{للهامش|1}}<ref name="Web-12"/>
كان عنصر الجرمانيوم غير مستقر كيميائيّاً بشكل كافيّ بالإضافة لدرجة انصهار منخفضة، لذلك، تحوّل التنافس نحو تطوير ترانزستور وصلة ثنائية القطب باستعمال شبه مُوصِل آخر هو [[سيليكون|السيليكون]]، الذي يقع مباشرة فوق الجرمانيوم في [[الجدول الدوري]]، ويبدي خواصاً أكثر
|مؤلف1=Fumio Shimura
|عنوان= Single-Crystal Silicon: Growth and Properties
| |||