تصنيع نبائط أشباه الموصلات

المحتوى هنا ينقصه الاستشهاد بمصادر. يرجى إيراد مصادر موثوق بها. أي معلومات غير موثقة يمكن التشكيك بها وإزالتها. (ديسمبر 2018)

تصنيع
أجهزة
أشباه الموصلات

10 ميكرومتر — 1971
3 ميكرومتر — 1975
1.5 ميكرومتر — 1982
1 ميكرومتر — 1985
800 نانومتر (0.80 ميكرومتر) — 1989
600 نانومتر (0.60 ميكرومتر) — 1994
350 نانومتر (0.35 ميكرومتر) — 1995
250 نانومتر (0.25 ميكرومتر) — 1998
180 نانومتر (0.18 ميكرومتر) — 1999
130 نانومتر (0.13 ميكرومتر) — 2000
90 نانومتر — 2002
65 نانومتر — 2006
45 نانومتر — 2008
32 نانومتر — 2010
22 نانومتر — تقريبا. 2011
16 نانومتر — تقريبا. 2013
11 نانومتر — تقريبا. 2015

تصنيع أجهزة أشباه الموصلات (بالإنجليزية: Semiconductor device fabrication) أو تسمى تصنيع أشباه الموصلات هي العملية المستخدمة لإنشاء الدارات المتكاملة (رقائق السليكون) التي تكون موجودة في الأجهزة الكهربائية والإلكترونية المستخدمة في الحياة اليومية. وهي سلسلة متعددة الخطوات من التصوير والمعالجة الكيميائية خلال الخطوات التي يتم إنشاؤها تدريجيا للدوائر الإلكترونية على رقاقة (ويفر) مصنوعة من مواد شبه موصلة نقية. والسيليكون هو من مواد أشباه الموصلات الأكثر شيوعا اليوم، جنبا إلى جنب مع أشباه الموصلات المجمع المختلفة.

غرفة نظيفة في مركز جلين للبحوث - ناسا

عملية التصنيع بكاملها ومن البداية إلى رقائق مغلفة جاهزة للشحن، تأخذ حوالي 6-8 أسابيع، ويتم تنفيذها في مراكز متخصصة للغاية ويشار إليها فابس اختصار ل(بالإنجليزية: fabs) وهي اختصار ل(بالإنجليزية: Semiconductor fabrication plant).

المراجععدل

في كومنز صور وملفات عن: تصنيع نبائط أشباه الموصلات

هذه بذرة مقالة عن الإلكترونيات أو العاملين في هذا المجال بحاجة للتوسيع. شارك في تحريرها.

تصنيع نبائط أشباه الموصلات

اقرأ أيضاعدل

المراجععدل