ملف:Etching wet-chemical vs rie (DE).svg

الملف الأصلي(ملف SVG، أبعاده 768 × 1٬024 بكسل، حجم الملف: 36 كيلوبايت)

ملخص

الوصف
English: Comparison process between wet-chemical etching and reactive ion etching (RIE) of silicon dioxide
Deutsch: Vergleich der Siliciumdioxid-Ätzprozesse zwischen nasschemischen Ätzen und reaktiven Ionenätzen (RIE)
التاريخ (UTC)
المصدر عمل شخصي
المؤلف Cepheiden
إصدارات أخرى replication of/Kopie nach: Gary S. May, Simon M. Sze: Fundamentals of Semiconductor Fabrication. Wiley & Sons, 2003, ISBN 0471452386, S. 90


ترخيص

أنا، صاحب حقوق التأليف والنشر لهذا العمل، أنشر هذا العمل تحت الرخص التالية:
GNU head يسمح نسخ وتوزيع و/أو تعديل هذه الوثيقة تحت شروط رخصة جنو للوثائق الحرة، الإصدار 1.2 أو أي إصدار لاحق تنشره مؤسسة البرمجيات الحرة؛ دون أقسام ثابتة ودون نصوص أغلفة أمامية ودون نصوص أغلفة خلفية. نسخة من الرخصة تم تضمينها في القسم المسمى GNU Free Documentation License.
w:ar:مشاع إبداعي
نسب العمل إلى مُؤَلِّفه الإلزام بترخيص المُشتقات بالمثل
هذا الملفُّ مُرخَّص بموجب رخصة المشاع الإبداعي نسبة المُصنَّف إِلى مُؤَلِّفه - المشاركة بالمثل 3.0 العامة
يحقُّ لك:
  • مشاركة العمل – نسخ العمل وتوزيعه وبثُّه
  • إعادة إنتاج العمل – تعديل العمل
حسب الشروط التالية:
  • نسب العمل إلى مُؤَلِّفه – يلزم نسب العمل إلى مُؤَلِّفه بشكل مناسب وتوفير رابط للرخصة وتحديد ما إذا أجريت تغييرات. بالإمكان القيام بذلك بأية طريقة معقولة، ولكن ليس بأية طريقة تشير إلى أن المرخِّص يوافقك على الاستعمال.
  • الإلزام بترخيص المُشتقات بالمثل – إذا أعدت إنتاج المواد أو غيرت فيها، فيلزم أن تنشر مساهماتك المُشتقَّة عن الأصل تحت ترخيص الأصل نفسه أو تحت ترخيص مُتوافِقٍ معه.
تمت إضافة علامة الترخيص لهذا الملف كجزء من رخصة جنو للوثائق الحرة تحديث الترخيص.
Licence Art Libre الحقوق المتروكة: هذا العمل الفني حُرٌّ، بإمكانك إعادة نشره وتعديله وفقاً لشروط رخصة العمل الفني الحرُّ. ستجد على عينة من هذه الرخصة في موقع الويب المخصص للحقوق المتروكة، وكذلك في المواقع الأخرى.
لك أن تختار الرخصة التي تناسبك.

الشروحات

أضف شرحاً من سطر واحد لما يُمثِّله هذا الملف

العناصر المصورة في هذا الملف

يُصوِّر

١١ يناير 2009

تاريخ الملف

اضغط على زمن/تاريخ لرؤية الملف كما بدا في هذا الزمن.

زمن/تاريخصورة مصغرةالأبعادمستخدمتعليق
حالي18:40، 11 يناير 2009تصغير للنسخة بتاريخ 18:40، 11 يناير 2009768 × 1٬024 (36 كيلوبايت)Cepheiden{{Information |Description={{en|1=Comparison process between wet-chemical etching and reactive ion etching (RIE) of silicon dioxide}} {{de|1=Vergleich der Siliciumdioxid-Ätzprozesse zwischen nasschemischen Ätzen und reaktiven Ionenätzen (RIE)}} |Source

الصفحة التالية تستخدم هذا الملف:

الاستخدام العالمي للملف

الويكيات الأخرى التالية تستخدم هذا الملف: