افتح القائمة الرئيسية

سيليسيد النحاس

مركب كيميائي
سيليسيد النحاس[1]
الاسم النظامي (IUPAC)

سيليسيد النحاس

المعرفات
رقم CAS 12159-07-8
بوب كيم 6336988  تعديل قيمة خاصية معرف بوب كيم (P662) في ويكي بيانات

الخواص
صيغة جزيئية Cu3Si
الكتلة المولية 218.72 غ/مول
المظهر مسحوق لونه فضي
نقطة الانصهار 825 °س
الذوبانية في ماء غير منحل
المخاطر
ترميز المخاطر
مادة مهيّجة Xi
توصيف المخاطر
تحذيرات وقائية
في حال عدم ورود غير ذلك فإن البيانات الواردة أعلاه معطاة بالحالة القياسية (عند 25 °س و 100 كيلوباسكال)

سيليسيد النحاس مركب كيميائي له الصيغة Cu3Si، يتألف من عنصري السيليكون (السيليسيوم) والنحاس ، ويكون على شكل مسحوق بلوري فضي.

محتويات

الخواصعدل

  • لا ينحل سيليسيد النحاس في الماء.
  • يؤدي تشكيل طبقة من سيليسيد النحاس إلى إعاقة انتشار النحاس في السيليكون وذلك في مجال الأبحاث في علم المواد.[3]

التحضيرعدل

يحضر سيليسيد النحاس المستخدم في صناعة أنصاف النواقل وذلك عن طريق المعالجة الحرارية السريعة Rapid thermal processing لفلز النحاس على ركازة من السيليكون، حيث يبدأ حدوث انتشار عند درجات حرارة تتراوح بين 250–300 °س. إن الاستمرار بعملية التخمير الحراري يعطي الشكل النهائي للسيليسيد.[4]

وقد تمكنت مجموعة بحث مؤخراً من تحضير بلورات نانوية من سيليسيد النحاس داخل أسلاك نانوية من السيليكون، مما يزيد من ناقليتها الكهربائية.[5]

الاستخداماتعدل

المراجععدل

  1. ^ صفحة البيانات الكيميائية من alfa
  2. أ ب ت معرف بوب كيم: https://pubchem.ncbi.nlm.nih.gov/compound/6336988 — تاريخ الاطلاع: 21 سبتمبر 2016 — العنوان : copper; silicon — الرخصة: محتوى حر
  3. ^ Lee, C. S.; Gong, H.; Liu, R.; Wee, A. T. S.; Cha, C. L.; See, A.; Chan, L. (2001). "Study of copper silicide retardation effects on copper diffusion in silicon". Journal of Applied Physics. 90 (8): 3822–3824. doi:10.1063/1.1343518. 
  4. ^ M. Setton, J. Van der Spiegel, B. Rothman (1990). "Copper silicide formation by rapid thermal processing and induced room‐temperature Si oxide growth". Applied Physics Letters. 57 (4): 357 – 359. doi:10.1063/1.104105. 
  5. ^ Derek C. Johnson, James M. Mosby, Shannon C. Riha, Amy L. Prieto (2010). "Synthesis of copper silicide nanocrystallites embedded in silicon nanowires for enhanced transport properties". J. Mater. Chem. 20: 1993 – 1998. doi:10.1039/b919281f. 
  6. ^ E. A. Turenko, O. B. Yatsenko (2002). "Plasma Synthesis of Thin Copper Silicide Films on Single-Crystal Silicon". Inorganic Materials. 38 (3): 220–223. doi:10.1023/A:1014710530668. 
  7. ^ In-Chul Kim, Dongjin Byun, Sangwha Lee, Joong Kee Lee (2006). "Electrochemical characteristics of copper silicide-coated graphite as an anode material of lithium secondary batteries". Electrochimica Acta. 52 (4): 1532–1537. doi:10.1016/j.electacta.2006.02.055. 
 
هذه بذرة مقالة عن الكيمياء بحاجة للتوسيع. شارك في تحريرها.