ذاكرة دي.دي.آر اس.دي.رام: الفرق بين النسختين
| [مراجعة غير مفحوصة] | [مراجعة غير مفحوصة] |
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
لا ملخص تعديل |
ط تدقيق إملائي وتنسيق |
||
سطر 1:
[[ملف:Generic DDR Memory (Xytram).jpg|تصغير|Generic DDR-266 Memory in the 184pin DIMM form]]
[[ملف:Corsair DDR PC-3200 Memory (Xytram).jpg|تصغير|ذاكرةCorsair DDR-400 بواقيات]]
سطر 16:
لذا تم اختراع تقنيات تعتمد على مضاعفة سرعة الذاكرة إلى 200 أو 266 ميغاهرتز.
على هذا الأساس تم صنع ذواكر DDR وهي تعمل بسرعتين. 200 ميغاهرتز وتسمى [[بي سي 1600|PC1600]] و 266 ميغاهرتز وتسمى [[بي سي 2100|PC2100]].
ربما نعتقد أن زيادة سرعة الذاكرة من 133 إلى 266 ميغاهرتز تعنى زيادة في الأداء تعادل 100%. ولكن الحقيقة هي أن زيادة الأداء ما بين الذاكرة [[بي سي 133|PC133]] و
سأحاول أن استخدم مثال لشرح تقنية DDR هناك أمرين، الناقل الأمامي وسأشبهه بالطريق أو الخط السريع. والهرتز وهو الناقل للمعلومة أشبهه بالباص (الحافلة).
سأركز على الطريق الذي يصل المعالج بالذاكرة. إذا أراد المعالج أن يرسل معلومة إلى الذاكرة فانه يضعها بداخل الحافلة ويرسلها إلى الذاكرة. بعد أن تقوم الحافلة بتوصيل المعلومة فإنها ترجع للمعالج بدون أي ركاب وذلك لكي تبلغه بان المعلومة وصلت بالسلامة.
سطر 62:
وأخيرا يوجد توضيح بالرسم عن جزء بسيط من DDRو هو الـBUFFER المستخدم ضمنها
[[تصنيف:بنية الحاسب]]
| |||