ترانزستور: الفرق بين النسختين
[مراجعة غير مفحوصة] | [نسخة منشورة] |
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
إضافة روابط خارجية لتقوية السيو وسوم: مُسترجَع وصلات خارجية للمراجعة 2 وصلات خارجية للمراجعة تحرير مرئي تحرير من المحمول تعديل ويب محمول |
Cyclone605 (نقاش | مساهمات) الرجوع عن تعديل معلق واحد من 102.52.14.39 إلى نسخة 59832932 من Nagy Muhammed. وسم: استرجاع يدوي |
||
سطر 2:
[[ملف:Early Transistor.jpg|تصغير|مقحل مبكر]]
'''الترانزستور'''<ref>قاموس المورد، البعلبكي، بيروت، لبنان.</ref><ref>حسب الموسوعة العلمية الميسرة. ترجمة أحمد شفيق الخطيب وآخرين. بيروت، لبنان</ref> أو '''المقحل''' {{إنج|Transistor}} (اختصاراً لكلمتي Transfer Resistor أي مُقاوِمُ النَقْل) وهي [[نبيطة]] تعتبر أحد أهم
للمقحل ثنائي القطب وصلتين من نوع «م س» وثلاثة أطراف. حيث يربط طرفان من الوصلتين «م س»، في العادة يربط الباعث والمجمِّع إلى دائرة خارجية، بينما يصل الطرف الثالث القاعدة بدائرة داخلية. لكن رفع الجهد المطبقة على القاعدة قليلا يؤدي إلى دخول عدد كبير من الإلكترونات إلى القاعدة عبر الوصلة المنحازة أماميا، ويتفاوت هذا العدد حسب قوة الجهد. ولأن منطقة القاعدة رقيقة جدا، يستطيع مصدر الفولتية في الدائرة الخارجية جذب الإلكترونات عبر الوصلة المنحازة عكسيا. ونتيجة لذلك يسري تيار قوي عبر الترانزستور وعبر الدائرة الخارجية. وبهذه الطريقة يمكن التحكم في سريان تيار قوي عبر الدائرة الخارجية، بتزويد القاعدة بإشارة صغيرة.
|