ترانزستور الأثر الحقلي: الفرق بين النسختين

[[ملف:Scheme of metal oxide semiconductor field-effect transistor.svg|left|thumb|تركيب المقحل الحقلي الداخلي]]

 

|مؤلف1=PR Gray |مؤلف2=PJ Hurst |مؤلف3=SH Lewis |مؤلف4=RG Meyer |عنوان=Analysis and design of analog integrated circuits

|سنة= 2001 |صفحات=§1.5.2 p. 45 |طبعة=Fourth |ناشر=Wiley |مكان=New York |isbn=0-471-32168-0}}</ref><ref>{{استشهاد بكتاب|مؤلف=Jerzy Ruzyllo|عنوان=Semiconductor Glossary: A Resource for Semiconductor Community |مسار=https://books.google.com/books?id=UlItDQAAQBAJ&pg=PA244 |تاريخ=2016-09-15 |ناشر=World Scientific |isbn=978-981-4749-56-5 |صفحات=244–| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20191215231219/https://books.google.com/books?id=UlItDQAAQBAJ&pg=PA244 | تاريخ أرشيف = 15 ديسمبر 2019 }}</ref><ref>[https://link.springer.com/chapter/10.1007%2F978-1-4684-7263-9_11#page-1 Junction Field-Effect Devices], ''Semiconductor Devices for Power Conditioning'', 1982 {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20180727024433/https://link.springer.com/chapter/10.1007/978-1-4684-7263-9_11 |date=27 يوليو 2018}}</ref> ويعتمد نوع المقحل على نوعية تطعيم القناة، فإذا كانت القناة سالبة فإن ([[إلكترون|الإلكترونات]] هي [[حامل الشحنة|حاملات الشحنة]] الأكثرية) و([[فجوة إلكترونية|الفجوات الإلكترونية]] هي [[حامل الشحنة|حاملات الشحنة]] الأقلية) فتكون النبيطة [[شبه موصل مشوب|شبه موصل سالب]] أما إذا كان [[إشابة|تطعيم]] القناة موجبا فتصبح النبيطة [[شبه موصل مشوب|شبه موصل موجب]]