ثغرة إلكترونية: الفرق بين النسختين
| [نسخة منشورة] | [نسخة منشورة] |
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
سطر 36:
ويبين الشكل أعلاه بلورة [[شبه موصل|شبه الموصل]] Si [[السيليكون]] مشوب بذرتي بور B تنتج تشويب من نوع p-Dotierung ، حيث تحتوي كل ذرة مشوبة B على 1 إلكترون أقل عن جيرانها Si ، مكونة ثغرة إلكترونية (ممثلة بدائرة بيضاء صغيرة).
أما الشكل على اليمين فهو يوضح نطاق ارتباط إلكترونات التكافوء بالذرة (أخضر) ويبلغ فيه طاقة الإلكترون Ev . ويقع نطاق توصيل الإلكترون فوق نطاق الارتباط وينفصل عنه بطاقة كمومية مقدارها Ec - Ev K ا ُ:
==اقرأ أيضا==
| |||