ثغرة إلكترونية: الفرق بين النسختين
| [نسخة منشورة] | [نسخة منشورة] |
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
سطر 21:
==تأثير مجال كهربائي==
عندما يوضع شبه الموصل تحت [[جهد كهربائي ]] تشترك كل من الإلكترونات (وهي سالبة الشحنة) والثغرات (وهي موجبة الشحنة ) في نقل [[التيار الكهربائي]].
وبينما تتحرك الإلكترونات المتحررة بحرية فلا تستطيع الثغرات الموجبة التحرك بسبب ثباتها في موقعها في البلورة . وإنما يمكن تخيل حركتها من كون الإلكترونات تقفز بين ثغرة و ثغرة ، فتبدو كما لو كانت الثغرات الموجبة تتحرك في عكس اتجاه حركة الإلكترونات.
سطر 34:
[[ملف:Störstellen im Halbleiterkristall (Akzeptor).svg|miniatur|Bei p-Dotierung ersetzt ein Atom mit einem Valenzelektron weniger ([[Akzeptor (Festkörperphysik)|Akzeptor]]) ein Gitteratom, so dass die Fehlstelle wie ein positiver Ladungsträger wirkt]]
ويبين الشكل بلورة شبه موصل مشوب بذرة تنتج تشويب نوع p-Dotierung حيث تحتوي الذرة المشوبة على 1 إلكترون أقل عن جيرانها ، مكونة ثغرة إلكترونية.
==اقرأ أيضا==
| |||