ثغرة إلكترونية: الفرق بين النسختين
| [نسخة منشورة] | [نسخة منشورة] |
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
سطر 21:
==تأثير مجال كهربائي==
عندما يوضع شبه الموصل تحت جهد كهربائي تشترك كل من الإلكترونات (وهي سالبة الشحنة) والثغرات (وهي موجبة الشحنة
وبينما تتحرك الإلكترونات المتحررة بحرية فلا تستطيع الثغرات الموجبة التحرك بسبب ثباتها في موقعها في البلورة . وإنما يمكن تخيل حركتها من كون الإلكترونات تقفز بين ثغرة و ثغرة ، فتبدو كما لو كانت الثغرات الموجبة تتحرك في عكس اتجاه حركة الإلكترونات.
وتوجد طريقة أخرى لنشأة الثغرات الإلكترونية في شبه الموصل وذلك عن طريق [[تشويب|تشويبه]] بذرات مختلفة عنه . ففي شبه الموصل تتسبب الذرات الغريبة في تكون مستويات للطاقة في الذرة
في نطاقات فارغة من الإكترونات . وهي تتسم بأن الطاقة الازمة لتحرير أحد الإلكترونات في شبه الموصل المشوب تكون أقل عن الطاقة اللازمة لتحرير [[إلكترون]] في شبه الموصل النقي .
Je nach [[Wertigkeit (Chemie)|Wertigkeit]] des Fremdatoms können verschiedene [[Störstelle]]n entstehen.
In der Halbleitertechnik werden solche Fremdatome (für Silicium meist [[Bor]] bzw. [[Phosphor]]) in den Halbleiterkristall eingebracht ([[Dotierung]]), um die Leitfähigkeit des Ausgangsmaterials gezielt zu verändern.
| |||