ترانزستور: الفرق بين النسختين
| [مراجعة غير مفحوصة] | [مراجعة غير مفحوصة] |
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
Amjad.ALBABA (نقاش | مساهمات) لا ملخص تعديل وسم: مُسترجَع |
تعديل بسيط وسوم: مُسترجَع تحرير من المحمول تعديل ويب محمول |
||
سطر 1:
[[ملف:Transistors.agr.jpg|تصغير|أشكال مختلفة للترانزستورات]]
[[ملف:Early Transistor.jpg|تصغير|ترانزستور مبكر]]
'''الترانزستور'''<ref>قاموس المورد، البعلبكي، بيروت، لبنان.</ref><ref>حسب الموسوعة العلمية الميسرة. ترجمة أحمد شفيق الخطيب وآخرين. بيروت، لبنان</ref> {{إنج|Transistor}} (اختصاراً لكلمتي Transfer Resistor أي مُقاوِمُ النَقْل) وهي [[نبيطة]] تعتبر أحد أهم العناصر الإلكترونية ويدخل في تكوين معظم التجهيزات الإلكترونيةالحديثة مثل [[حاسوب|الحاسوب]]، اخترعه العلماء الأمريكيون ([[والتر براتن]]) و([[جون باردين]]) و([[وليام شوكلي]])، هو بلورة من مادة [[شبه موصل]] مطعمة [[جرمانيوم|بالجرمانيوم]] أو [[سيليكون|السيليكون]] تعتبر العقل المدبر للحاسوب تحتوي على بلورة رقيقة جدًا بحيث تكون المنطقة الوسطى منها شبه موصل موجب أو سالب وتسمى القاعدة بينهما المنطقتان الخارجيتان من النوعية المخالفة وله قدرة كبيرة على تكبير الإشارات الإلكترونية.
للترانزستور ثنائي القطبية وصلتين من نوع "P-N" وثلاثة أطراف. حيث يربط طرفان من الوصلتين "P-N"، في العادة يربط الباعث والمجمِّع إلى دائرة خارجية، بينما يصل الطرف الثالث (الأوسط) والذي يدعى قاعدة بدائرة داخلية (عادة ما تكون دارة تحكم بالترانزستور). لكن رفع الجهد المطبق على القاعدة قليلا يؤدي إلى دخول عدد كبير من الإلكترونات إلى القاعدة عبر الوصلة المنحازة أماميا (قاعدة-مشع)، ويتفاوت هذا العدد حسب قوة الجهد. ولأن منطقة القاعدة رقيقة جدا، يستطيع مصدر الفولتية في الدائرة الخارجية جذب الإلكترونات عبر الوصلة المنحازة عكسيا(مجمع-قاعدة). ونتيجة لذلك يسري تياراً قوياً عبر الترانزستور (بين المجمع والمشع) وعبر الدائرة الخارجية. وبهذه الطريقة يمكن التحكّم في سريان تيار قوي عبر الدائرة الخارجية، بتزويد القاعدة بإشارة صغيرة وهذا التيار الكبير متناسب بشكل أو بآخر مع تيار القاعدة ومن هنا جاءت صفة التكبير.
| |||