ترانزستور: الفرق بين النسختين

[نسخة منشورة][مراجعة غير مفحوصة]
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
طلا ملخص تعديل
وسوم: تحرير مرئي تحرير من المحمول تعديل ويب محمول
لا ملخص تعديل
وسم: مُسترجَع
سطر 1:
[[ملف:Transistors.agr.jpg|تصغير|أشكال مختلفة للمقاحلللترانزستورات]]
[[ملف:Early Transistor.jpg|تصغير|مقحلترانزستور مبكر]]
'''المقحل''' أو '''الترانزستور'''<ref>قاموس المورد، البعلبكي، بيروت، لبنان.</ref><ref>حسب الموسوعة العلمية الميسرة. ترجمة أحمد شفيق الخطيب وآخرين. بيروت، لبنان</ref> {{إنج|Transistor}} (اختصاراً لكلمتي Transfer Resistor أي مُقاوِمُ النَقْل) وهي [[نبيطة]] تعتبر أحد أهم مكونات الأدواتالعناصر الإلكترونية الحديثةويدخل في تكوين معظم التجهيزات الإلكترونيةالحديثة مثل [[حاسوب|الحاسوب]]، اخترعه العلماء الأمريكيون ([[والتر براتن]]) و([[جون باردين]]) و([[وليام شوكلي]])، هو بلورة من مادة [[شبه موصل]] مطعمة [[جرمانيوم|بالجرمانيوم]] أو [[سيليكون|السيليكون]] تحتوي على بلورة رقيقة جدًا بحيث تكون المنطقة الوسطى منها شبه موصل موجب أو سالب وتسمى القاعدة بينهما المنطقتان الخارجيتان من النوعية المخالفة وله قدرة كبيرة على تكبير الإشارات الإلكترونية.
 
للمقحلللترانزستور ثنائي القطبالقطبية وصلتين من نوع س"P-N" وثلاثة أطراف. حيث يربط طرفان من الوصلتين "م سP-N"، في العادة يربط الباعث والمجمِّع إلى دائرة خارجية، بينما يصل الطرف الثالث القاعدة(الأوسط) والذي يدعى قاعدة بدائرة داخلية (عادة ما تكون دارة تحكم بالترانزستور). لكن رفع الجهد المطبقةالمطبق على القاعدة قليلا يؤدي إلى دخول عدد كبير من الإلكترونات إلى القاعدة عبر الوصلة المنحازة أماميا،أماميا (قاعدة-مشع)، ويتفاوت هذا العدد حسب قوة الجهد. ولأن منطقة القاعدة رقيقة جدا، يستطيع مصدر الفولتية في الدائرة الخارجية جذب الإلكترونات عبر الوصلة المنحازة عكسيا(مجمع-قاعدة). ونتيجة لذلك يسري تيارتياراً قويقوياً عبر الترانزستور (بين المجمع والمشع) وعبر الدائرة الخارجية. وبهذه الطريقة يمكن التحكمالتحكّم في سريان تيار قوي عبر الدائرة الخارجية، بتزويد القاعدة بإشارة صغيرة وهذا التيار الكبير متناسب بشكل أو بآخر مع تيار القاعدة ومن هنا جاءت صفة التكبير.
'''المقحل''' أو '''الترانزستور'''<ref>قاموس المورد، البعلبكي، بيروت، لبنان.</ref><ref>حسب الموسوعة العلمية الميسرة. ترجمة أحمد شفيق الخطيب وآخرين. بيروت، لبنان</ref> {{إنج|Transistor}} (اختصاراً لكلمتي Transfer Resistor أي مُقاوِمُ النَقْل) وهي [[نبيطة]] تعتبر أحد أهم مكونات الأدوات الإلكترونية الحديثة مثل [[حاسوب|الحاسوب]]، اخترعه العلماء الأمريكيون ([[والتر براتن]]) و([[جون باردين]]) و([[وليام شوكلي]])، هو بلورة من مادة [[شبه موصل]] مطعمة [[جرمانيوم|بالجرمانيوم]] أو [[سيليكون|السيليكون]] تحتوي على بلورة رقيقة جدًا بحيث تكون المنطقة الوسطى منها شبه موصل موجب أو سالب وتسمى القاعدة بينهما المنطقتان الخارجيتان من النوعية المخالفة وله قدرة كبيرة على تكبير الإشارات الإلكترونية.
 
للمقحل ثنائي القطب وصلتين من نوع "م س" وثلاثة أطراف. حيث يربط طرفان من الوصلتين "م س"، في العادة يربط الباعث والمجمِّع إلى دائرة خارجية، بينما يصل الطرف الثالث القاعدة بدائرة داخلية. لكن رفع الجهد المطبقة على القاعدة قليلا يؤدي إلى دخول عدد كبير من الإلكترونات إلى القاعدة عبر الوصلة المنحازة أماميا، ويتفاوت هذا العدد حسب قوة الجهد. ولأن منطقة القاعدة رقيقة جدا، يستطيع مصدر الفولتية في الدائرة الخارجية جذب الإلكترونات عبر الوصلة المنحازة عكسيا. ونتيجة لذلك يسري تيار قوي عبر الترانزستور وعبر الدائرة الخارجية. وبهذه الطريقة يمكن التحكم في سريان تيار قوي عبر الدائرة الخارجية، بتزويد القاعدة بإشارة صغيرة.
 
== تاريخ الترانزستور ==