ترانزستور: الفرق بين النسختين

<div align="right">إن نوعي الترانزستور يختلفان عن بعضهما اختلافا طفيفا في كيفية وضعهما في دائرة معينةمعينة، فكل منها له ثلاثة اطراف تسمى في حالة المقحل ثنائى القطب بـ : القاعدة "Base "، والباعث "Emitter "، والمجمع "Collector "، وبمرور تيار متغير في القاعدة سيظهر تأثره مجمعا في المجمع والباعث، وفي حالة مقحل تأثير المجال تسمى البوابة "Gate "، المنبع "Source "، المصب "Drain " ويتحكم الجهد على البوابة في فرق الجهد بين المنبع والمصب..</div>

يمكن تقسيم المقاحل إلى عدة فئات حسب التقسيم::

'''1:- طبقا لشبه الموصل:'''

[[جرمانيوم|جرمانيومي]]- [[سيليكون|سليكوني]] – [[غاليوم|جاليومي]] – زرنخيى[[زرنيخ|زرنيخي]] – [[مويسانيت|كربيدي سليكوني]]

'''2:- طبقا للبناء:'''

BJT ثنائي القطب، MOSFET تأثير المجال، IGBT المقحل ذو البوابة المعزولة.

'''3:- طبقا للقطبية:'''

NPN (س م س) المقحل من النوع السالبالسالب، ويعنى منطقة من النوع السالب يليها منطقة من النوع الموجب يليها منطقة من النوع السالب.

PNP (م س م) المقحل من النوع الموجبالموجب، ويعنى منطقة من النوع الموجبةالموجب يليها منطقة من النوع السالب يليها منطقة من النوع الموجب.

'''4:- طبقا لقدرة التشغيل:'''

صغير – متوسط – كبير.

'''5:- طبقا لأقصى تردد تشغيل:'''

موجات راديوية أو موجات الميكرومتريةميكرومترية ويعطى أقصى تردد وفعال بجهد الثقل ويرمز له بالرمز FT والذي ينتج نسبة تكبير مساوية للوحدة .

'''6:- طبقا للتطبيق المستخدم فيه:'''

مفتاح – متعدد الأغراض – صوتي عالي الجهد – زوجي متماثل – عالي نسبة التكبير.

'''7:- طبقا للتغليف الفيزيائي:'''

ذو الثقب المعدني - ذو الثقب البلاستيكي – المحمل سطحيا – سلسلة شبكة الكور – مغير القدرة.

'''8:- طبقا لمعامل التكبير (hfe):'''

لذلك فانفإن مقحل معين يمكن أن يوصف بهذا الوصف (سليكوني – ثنائي القطب من النوع السالب – مغير للطاقة عالي التردد – مفتاح).