ترانزستور الأثر الحقلي: الفرق بين النسختين
[مراجعة غير مفحوصة] | [مراجعة غير مفحوصة] |
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
ط روبوت إضافة: vi:Field-effect transistor |
Almuhammedi (نقاش | مساهمات) لا ملخص تعديل |
||
سطر 1:
[[ملف:Scheme of metal oxide semiconductor field-effect transistor.svg|left|thumb|تركيب المقحل الحقلي الداخلي]]
'''المقحل الحقلي''' أو '''المقحل المجالي''' أو '''ترانزستور تأثير المجال''' {{إنج|Field-effect transistor}} [[نبيطة]] ([[مقحل]]) أحادي الاتجاه يتكون من 3 عناصر رئيسية '''المنبع'''، '''البوابة'''، '''المصب''' وينتقل التيار بين المنبع والمصب (أو بين المصب والمنبع لإنه أحادي القطب) عبر '''قناة''' ذات [[موصلية]] تتغير حسب [[جهد]] البوابة الكهربائي ويعتمد نوع المقحل على نوعية تطعيم القناة فإذا كانت القناة سالبة أي [[إلكترونات|الإلكترونات]] هن [[حوامل غالبة]] و[[فجوة إلكترونية|الفجوات الإلكترونية]] هن [[حوامل أقلية]] فإن النبيطة تكون [[شبه موصل سالب]] أما إذا كان [[تشويب|التشويب]] موجبا فتصبح النبيطة [[شبه موصل موجب]]
== أنواع المقاحل الحقلية ==
|