ترانزستور ثنائي القطب: الفرق بين النسختين

[مراجعة غير مفحوصة][نسخة منشورة]
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
بندر (نقاش | مساهمات)
ط استرجاع تعديلات 197.56.8.1 (نقاش) حتى آخر نسخة بواسطة JarBot
وسم: استرجاع
سطر 732:
}}
 
لتحييز الوصلة عكسياً، يتم توصيل شبه الموصل من النوع N إلى القطب الموجب لمُولّد خارجيّ جهده <math>V_{ext}</math>، وشبه الموصل من النوع pN إلى القطب السالب لنفس المولد.<ref name = "Book-29-replecated">Semiconductor Devices & Circuits, P.103</ref> يسبب هذا التوصيل تطبيق حقل متوافق بالقطبية <math>\epsilon_{ext}</math> مع الحقل الناتج عن جهد العبور والموجود سلفاً نتيجة لإنشاء الوصلة <math>\epsilon_{0}</math>، وتكون المُحصلة الجبريّة للحقلين مساوية لمجموعهما أي <math>\epsilon_{ext} + \epsilon_{0} </math>. نتيجة لذلك، يزداد عرض منطقة العبور على جانبي الوصلة، ويعيق ذلك حركة حاملات الشحنة الأكثريّة.<ref name = "Book-44">CMOS Electronics: How It Works, How It Fails P.49-50</ref>
 
فيما يخص حركة حاملات الشحنة، فإن انتشار حوامل الشحنات الأكثرية يكون ضعيفاً بسبب حاجز الجهد المضاعف، وينتج عن هذا الانتشار تيار صغير جداً يمكن إهماله، أما تيار الإشباع العكسي، والذي ينتج عن انجراف حاملات الشحنة المتولدة في منطقة العبور، فيكون ثابت القيمة، ولا يتعلق بقيمة الجهد الخارجي المطبق، ومعاكس في جهته مع قطبية المولّد.<ref name="Web-129">Lecture 11: pn junctions under bias, P.9</ref> يُسمّى هذا التيار بتيار التسريب {{إنج|Leakage current}} أو بتيار الإشباع العكسي {{إنج|Reverse saturation current}}.<ref name="Book-32"/>