ثغرة إلكترونية: الفرق بين النسختين

[نسخة منشورة][نسخة منشورة]
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
JarBot (نقاش | مساهمات)
ط v2.02b - باستخدام ويكيبيديا:فو (Bogus image options)
سطر 25:
وفي تقنية أشباه الموصلات تستخدم عناصر مشوبة مثل [[فسفور|الفسفور]] أو [[بورون|البورون]] B لتشويب السيليكون Si. وهي تشوب [[سيليكون (توضيح)|السيليكون]]، بغرض زيادة قابليته على التوصيل الكهربائي بالمقارنة بمعامل توصيله للكهرباء في حالته النقية.
 
[[ملف:Störstellen im Halbleiterkristall (Akzeptor).svg|miniaturthumb|Bei p-Dotierung ersetzt ein Atom mit einem Valenzelektron weniger ([[Akzeptor (Festkörperphysik)|Akzeptor]]) ein Gitteratom, so dass die Fehlstelle wie ein positiver Ladungsträger wirkt]]
 
ويبين الشكل أعلاه بلورة [[شبه موصل|شبه الموصل]] Si [[سيليكون (توضيح)|السيليكون]] مشوب بذرتي بور B تنتج تشويب من نوع p-Dotierung، حيث تحتوي كل ذرة مشوبة B على 1 إلكترون أقل عن جيرانها Si، مكونة ثغرة إلكترونية (ممثلة بدائرة بيضاء صغيرة).