ترانزستور الأثر الحقلي: الفرق بين النسختين

[[ملف:Scheme_of_metal_oxide_semiconductor_fieldScheme of metal oxide semiconductor field-effect_transistoreffect transistor.svg|left|thumb|تركيب المقحل الحقلي الداخلي]]

'''المقحل الحقلي''' أو '''المقحل المجالي''' {{إنج|Field-effect transistor}} [[نبيطة]] ([[مقحل]]) أحادي الاتجاه يتكون من 3 عناصر رئيسية '''المنبع''' ، '''البوابة''' ، '''المصب''' و ينتقل التيار بين المنبع و المصب (أو بين المصب و المنبع لإنه أحادي القطب) عبر '''قناة''' ذات [[موصلية]] تتغير حسب [[جهد]] البوابة الكهربائي و يعتمد نوع المقحل على نوعية تطعيم القناة فإذا كانت القناة سالبة أي ال[[إلكترونات]] هن [[حوامل غالبة]] و [[فجوة إلكترونية|الفجوات الإلكترونية]] هن [[حوامل أقلية]] فإن النبيطة تكون [[شبه موصل سالب]] أما إذا كان ال[[تشويب|التشويب]] موجبا فتصبح النبيطة [[شبه موصل موجب]]

يعتمد المقحل الحقلي على تأثير [[المجال الكهربائي]] في التحكم بموصلية القناة الواصلة بين المنبع و المصب و يتولد [[المجال الكهربي]] عن طريق تطبيق [[جهد كهربي]] على البوابة ذات ال[[معاوقة|المعاوقة]] الكبيرة فينتج مجال كهربي تزداد شدته بازدياد جهد البوابة و يتولى التحكم بموصلية القناة . و تنقسم المقاحل الحقلية حسب تركيب البوابة و القناة و طريقة العزل بينهما إلى :