نظم كهروميكانيكية صغرى: الفرق بين النسختين
| [نسخة منشورة] | [نسخة منشورة] |
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
عبد الله بوت (نقاش | مساهمات) بوت: إضافة بوابة:كهرومغناطيسية |
ط بوت:الإبلاغ عن رابط معطوب أو مؤرشف V4.6* |
||
سطر 1:
'''النظم الكهروميكانيكية الصغرى''' {{إنج|Microelectromechanical systems}} أو ال[[ميمس (توضيح)|ميمس]] {{إنج|MEMS}} كما يطلق عليها.
تختلف تسمية '''الميمس''' من منطقة لأخرى يشار إليها مثلا إلى '''المكائن المايكروية''' {{إنج|micromachines}} (في [[يابان|اليابان]])، أو '''تقنية الأنظمة المايكروية''' {{إنج|Micro Systems Technology - MST}} (في [[أوروبا]]).<ref>{{cite journal|last=Hajati|first=Arman|author2=Sang-Gook Kim|title=Ultra-wide bandwidth piezoelectric energy harvesting|journal=Applied Physics Letters|year=2011|volume=99|issue=8|page=083105|doi= 10.1063/1.3629551}}</ref><ref>{{cite journal|doi=10.1109/84.546406|title=Etch rates for micromachining processing|year=1996|last1=Williams|first1=K.R.|last2=Muller|first2=R.S.|journal=Journal of Microelectromechanical Systems|volume=5|page=256|issue=4|url=http://www-inst.cs.berkeley.edu/~ee245/fa07/lectures/WetEtchRates.WilliamsMuller.00546406.pdf| مسار الأرشيف = https://web.archive.org/web/20170809034445/http://www-inst.cs.berkeley.edu/~ee245/fa07/lectures/WetEtchRates.WilliamsMuller.00546406.pdf | تاريخ الأرشيف = 9 أغسطس 2017 }}</ref><ref>[http://www.google.com/patents/about?id=hpcBAAAAEBAJ&dq=ELECTROMECHANICAL+MONOLITHIC+RESONATOR U.S. patent 3614677], Filed April 29, 1966; Issued October 1971 {{وصلة مكسورة|تاريخ= يونيو 2019 |bot=JarBot}}</ref> تتكون الميمس من مكونات بين 1 و 100 [[ميكرومتر]] في الحجم (أي 0.001 و 0.1 ملم) وأجهزة الميمس عموما تتراوح في حجمها من 20 ميكرومتر (20 جزءا من المليون من المتر) وتصل إلى [[ملم]].
ان أكثر التسميات رواجا هي MEMS (Micro – Electro – Mechanical – System) الأنظمة الميكروية الالكتروميكانيكية، وتشمل كل العناصر الميكانيكية والحساسات والمحركات الإلكترونية المتوضعة على ركيزة(قاعدة)(substrate) من السيليكون أو غيرها من المواد، من خلال تقنية تصنيع منهجية. ويتم تصنيع هذه الإلكترونيات باستخدام الدارات المتكاملة (Integrated Circuit IC)، إضافة إلى عمليات مختلفة (عملية الـ CMOS، Bipolar، BiCMOS ... الخ). ويتم توضع هذه الطبقات على طبقة أساسية تسمى الركيزة (substrate)، ثم يتم بناء طبقات متعددة على الطبقة الأساسية بواسطة أجهزة ميكانيكية وكهروميكانيكية.
| |||