حيود الأشعة السينية: الفرق بين النسختين
| [نسخة منشورة] | [نسخة منشورة] |
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
لا ملخص تعديل |
|||
سطر 16:
===التبعثر المرن===
يمكن دراسة المواد التي لا تتمتع بمدى كبير من الترتيب (شبه بلورية) باستخدام طرق التبعثر التي تعتمد على التبعثر المرن للأشعة السينية وحيدة اللون.
*[[تبعثر الأشعة السينية بزاوية صغيرة]] (Small angle X-ray scattering) (SAXS) يسبر البنية بمجال النانومتر إلى الميكرومتر وذلك بقياس شدة التبعثر عند زوايا تبعثر 2θ قريبة من 0°<ref>{{cite book|last = Glatter|first=O. |coauthors= O. Kratky|title=Small Angle X-ray Scattering|year=1982|publisher=Academic Press|url=http://physchem.kfunigraz.ac.at/sm/Software.htm}}</ref>.
*[[انعكاسية الأشعة السينية]] هي تقنية تحليلة لتحديد سمك، وخشونة، وكثافة فيلم ذي طبقة وحيدة أو عديدة الطبقات.
*[[تبعثر الأشعة السينية بزاوية كبيرة]] (Wide angle X-ray scattering) (WAXS) هي تقنية تركز على زوايا التبعثر 2θ أكبر من 5°.
===التبعثر غير المرن===
عند إظهار قدرة وزاوية الأشعة السينية المبعثرة المصطدمة صدما غير مرن، يمكن استخدام تقنيات لسبر [[بنية الحزمة الإلكترونية]] (electronic band structure) للمواد.
*[[تبعثر كمبتون]]. (Compton scattering)
*[[تبعثر رامان للأشعة السينية]]. (X-ray Raman scattering)
*[[نموذج حيودي للأشعة السينية]].
*[[تبعثر الأشعة السينية الرنانة غير المرنة]] (Resonant inelastic X-ray scattering)
==المراجع==
| |||