ترانزستور ثنائي القطب: الفرق بين النسختين
| [نسخة منشورة] | [نسخة منشورة] |
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
Michel Bakni (نقاش | مساهمات) |
Michel Bakni (نقاش | مساهمات) |
||
سطر 2٬204:
| [[ملف:NPN BJT Fixed bias-1.svg|150بك]] || باعث مشترك <br /> (تحييز ثابت)|| [[ملف:NPN BJT Fixed-bais Hybrid pi Model.svg|200بك]] ||{{وسط|<math>R_{B} || r_{\pi}</math>}} || {{وسط|<math>r_{o} || R_{C}</math>}} || {{وسط|<math>-g_{m}.R_{C}</math>}} || {{وسط|<math>\beta</math>}}|| هناك فرق طور 180 درجة بين جهدي الدخل والخرج
|-
|[[ملف:NPN BJT Stabilized Emitter Biasing Circuit.svg|150بك]] || باعث مشترك <br /> (باعث مستقر)|| [[ملف:NPN BJT Stabilized-emitter bias Hybrid Pi Model.svg|200بك]] ||{{وسط|<math>R_{B} || Z_{b}</math>}} {{refn|و<math>Z_{b}</math> هي المقاومة منظورة من القاعدة وتحسب بالعلاقة: <math>Z_{b} = r_{\pi} +(\beta + 1). R_{E} </math>.|name="SDE5"|group=lower-alpha}}|| {{وسط|<math>r_{o} || R_{C}</math>}} || {{وسط|<math>-\frac{g_{m}.R_{C}}{Z_{b}}</math>}}
|-
| [[ملف:NPN BJT Voltage-divider bias-1.svg|150بك]]{{refn|في الحسابات، تم إهمال أثر <math>C_{E}</math> واعتبرت غير موجودة.|name="SDE1"|group=lower-alpha}} || باعث مشترك <br /> (مُقسّم الجهد)|| [[ملف:NPN BJT voltage-divider-bias Hybrid Pi Model.svg|200بك]] || {{وسط|<math>Z_{b} || R^\prime </math>}}{{refn|حيث <math>R^\prime</math> تحسب بالعلاقة: <math>R^\prime = R_{1}||R_{2}</math>|name="SDE2"|group=lower-alpha}}{{refn|group=lower-alpha|name="SDE5"}}||{{وسط|<math> r_{o} || R_{C} </math>}} ||{{وسط|<math> \frac{-g_{m}.R_{C}}{Z_{b}} </math>}}{{refn|group=lower-alpha|name="SDE5"}} || {{وسط|<math>\beta</math>}} || هناك فرق طور 180 درجة بين جهدي الدخل والخرج
| |||