إشابة: الفرق بين النسختين

[نسخة منشورة][نسخة منشورة]
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
وسمان: أوتوويكي براوزر تعديل المحمول المتقدم
JarBot (نقاش | مساهمات)
ط بوت:الإبلاغ عن رابط معطوب أو مؤرشف V4.2 (تجريبي)
سطر 1:
'''الإشابة'''<ref>ترجمة Doping في [http://basm.kacst.edu.sa/Default.aspx بنك باسم للمصطلحات التقنية] {{وصلة مكسورة|date= يوليو 2018 |bot=JarBot}} {{Webarchive|url=httphttps://web.archive.org/web/20171230071320/http://basm.kacst.edu.sa:80/Default.aspx |date=30 ديسمبر 2017}}</ref> أو '''التطعيم''' في [[إلكترونيات|الإلكترونيات]] هي عملية مصنعية تتم لتحويل [[جهاز شبه موصل|نبيطة]] [[شبه موصل|شبه الموصل]] من كونها [[شبه موصل ذاتي|شبه موصل داخلي]] لتصبح [[شبه موصل دخيلمشوب|شبه موصل خارجي]] ، عن طريق إضافة كمية قليلة من مادة غنية بالإلكترونات أو إضافة مادة ناقصة الإلكترونات وتسمى تلك الأخيرة [[فجوة إلكترونية]] . تتحرك الكهرباء في النبيطة (مثل الترانزيستور ) بتحرك الإلكترونات (سالبة الشحنة) وتحرك الفجوات (موجبة الشحنة ).
 
تستخدم [[زرنيخيد الغاليوم|زرنيخيد غاليوم ثلاثي]] النقي كحامل للإشابة ، فهو [[شبه موصل]].
عند إضافة كمية قليلة من مادة [[مانح|مانحة]] تحتوي 5 إلكترونات مثل ال[[إثمد|أنتيمون]] أو [[فوسفورفسفور|الفوسفور]] أو [[زرنيخ|الزرنيخ]] أو غيرها من من عناصر المجموعة الخامسة ب[[جدول دوري|الجدول الدوري]] إلى السيليكون النقي تصبح بلوراته مشوبة حينها بلورة [[شبه موصل مشوب|شبه موصل سالب]] أما إذا أضيف للبلورة النقية مادة [[متقبل|متقبلة]] من عناصر المجموعة الثالثة تحتوي ذراتها على ثلاثة الكترونات فعندها ستشكل الالكترونات الثلاث [[رابطة تساهمية]] مع الكترونات الذرات المجاورة وتبقى الرابطة الرابعة غير مكتملة مما يؤدي إلى تكون [[فجوة إلكترونية]] وتسمى البلورة من هذا النوع بلورة [[شبه موصل مشوب|شبه موصل موجب]]
 
== بعض الأنواع ==
نوع III-V-GaAs وهو [[زرنيخيد الغاليوم|زرنيخيد غاليوم ثلاثي]] نقي يشوب بقليل من [[كربون|الكربون]] فيكون [[فجوة إلكترونية|فجوات إلكترونية]] (موجب الشحنات ) ، أما إذا طعم ب [[تيلوريوم|تلوريوم]] فيصبح غنيا بالإلكترونات وبالتالي يحتوي على شحنات سالبة .
 
مادة شبه موصلة تستخدم كثيرا في الإلكترونيات هي [[أكسيد السيليكون]] النقي حيث يمكن إشابةه [[بورون|بالبورون]] أو ب [[فسفور|الفسفور]]. وينتج منه زجاج بورفوسفات سيليكات BPSG الذي تنخفض درجة انصهاره نحو 700 درجة مئوية عن نقطة انصهار أكسيد السيليكون. لهذا يستخدم في صناعة [[ويفررقاقة|الويفر]] .
 
== إشابة السيليكون ==
سطر 26:
يتكون الترانزيستور في العادة من ثلاثة طبقات من نوع NPN أو PNP .
 
الشكل المبين يوضح تركيب ما يسمى [[ترانزستور ثنائي القطب|مقحل ثنائي الأقطاب]]
 
== انظر أيضاً ==
* [[ترانزستور ثنائي القطب|مقحل ثنائي الأقطاب]]
* [[حامل الشحنة|حامل شحنة]]
* [[طيف كهرومغناطيسي]]
* [[ليزر]]
* [[استقطاب الفوتون]].
* [[فونون]].
* [[حامل القوة|حامل قوة]].
== مراجع ==
{{مراجع}}