'''نتريد ألمنيوم غاليوم''' '''AlGaN''' عبارة عن [[نصفشبه ناقلموصل|مادة نصف ناقلة]] ، وهي خليطة من [[نتريد الألومنيوم|نتريد الألمنيوم]] و[[نتريد الغاليوم]].تستخدم في صناعة [[ديودصمام ثنائي|الديود]]ات المشعة لل[[ضوء]] التي تعمل من مجال الأزرق إلى [[أشعةالأشعة فوق بنفسجيةالبنفسجية|فوق البنفسجي]].<ref>{{ cite journal | title = Environment, Health and Safety Issues for Sources Used in MOVPE Growth of Compound Semiconductors |author1=Shenai-Khatkhate, D. V. |author2=Goyette, R. |author3=DiCarlo, R. L. Jr. |author4=Dripps, G. | journal = Journal of Crystal Growth | volume = 272 | issue = 1–4 | pages = 816–821 | year = 2004 | doi = 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007 }}</ref><ref>[http://my.ece.ucsb.edu/Mishra/resgroupfiles/parish.pdf Growth and Characterization of Aluminum Gallium Nitride...] {{Webarchive|url=httphttps://web.archive.org/web/20170809092202/http://my.ece.ucsb.edu/Mishra/resgroupfiles/parish.pdf |date=09 أغسطس 2017}}</ref>
