ترانزستور الأثر الحقلي: الفرق بين النسختين

[نسخة منشورة][نسخة منشورة]
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
JarBot (نقاش | مساهمات)
ط بوت:صيانة 4.V2، أضاف بذرة
ط بوت: تدقيق إملائي و/أو تنسيق
سطر 1:
[[ملف:Scheme of metal oxide semiconductor field-effect transistor.svg|left|thumb|تركيب المقحل الحقلي الداخلي]]
 
'''المقحل الحقلي''' أو '''الترانزستور الحقلي''' {{إنج|Field-effect transistor}} [[نبيطة]] ([[مقحل]]) أحادي الاتجاه يتكون من 3 عناصر رئيسية '''المنبع'''، '''البوابة'''، '''المصب''' وينتقل التيار بين المنبع والمصب (أو بين المصب والمنبع لإنه أحادي القطب) عبر '''قناة''' ذات [[موصلية]] تتغير حسب [[جهد]] البوابة الكهربائي .<ref>{{citeمرجع bookكتاب
|author1المؤلف1=PR Gray |author2المؤلف2=PJ Hurst |author3المؤلف3=SH Lewis |author4المؤلف4=RG Meyer |titleالعنوان=Analysis and design of analog integrated circuits
|yearالسنة= 2001 |pagesالصفحات=§1.5.2 p. 45 |editionالطبعة=Fourth |publisherالناشر=Wiley |locationالمكان=New York |isbn=0-471-32168-0}}</ref><ref>{{citeمرجع bookكتاب|authorالمؤلف=Jerzy Ruzyllo|titleالعنوان=Semiconductor Glossary: A Resource for Semiconductor Community |urlالمسار=https://books.google.com/books?id=UlItDQAAQBAJ&pg=PA244 |date=2016-09-15 |publisherالناشر=World Scientific |isbn=978-981-4749-56-5 |pagesالصفحات=244–}}</ref><ref>[https://link.springer.com/chapter/10.1007%2F978-1-4684-7263-9_11#page-1 Junction Field-Effect Devices], ''Semiconductor Devices for Power Conditioning'', 1982 {{Webarchive|url=http://web.archive.org/web/20180727024433/https://link.springer.com/chapter/10.1007/978-1-4684-7263-9_11 |date=27 يوليو 2018}}</ref> ويعتمد نوع المقحل على نوعية تطعيم القناة، فإذا كانت القناة سالبة فإن ([[إلكترونات|الإلكترونات]] هي [[حامل الشحنة|حاملات الشحنة]] الأكثرية) و([[فجوة إلكترونية|الفجوات الإلكترونية]] هي [[حامل الشحنة|حاملات الشحنة]] الأقلية) فتكون النبيطة [[شبه موصل سالب]] أما إذا كان [[تشويب|تطعيم]] القناة موجبا فتصبح النبيطة [[شبه موصل موجب]]
 
== أنواع المقاحل الحقلية ==