[[ملف:Replica-of-first-transistor.jpg|تصغير|تم صنع نسخة طبق الأصل لأول ترانزستور يعمل.]]
<div align="right">سجل الفيزيائي "[[{{وصلة إنترويكي|عر=جوليس ادجر لينيفلد]]" ([[|تر=Juluis edgar lilienfeld]])}} أول براءة اختراع للمقحل في [[كندا]] عام 1925م وكان هذا الاختراع مشابه لمقحل[[ترانزستور تأثيرذو المجالمفعول "حقلي|للترانزستور FET "الحقلي]] ولكنه مع ذلك لم ينشر أبحاث عن هذا الترانزستور ولم يحقق عمليا باستخدام نبائط واقعية وفي عام 1934م قام الألمانى "{{وصلة إنترويكي|عر=اوسكر هيل" (|تر=Osker Heil)}} بتسجيل براءة اختراع لمقحل مشابه للمقحل السابق..</div>
<div align="right">في عام 1942م قام "هبرت مارتين" (Herbert marten) بعمل بتجربة باستخدام ما يسمى "الديو دايو" (الوصلة الثنائية المزدوجة)أثناء العمل على لاقط بنظام رادار دوبلر وهذه الوصلة الثنائية المزدوجة مكونة من اثنين من الوصلات الثنائية ووصلات معدنية على قاعدة من شبه الموصل ولكنه اكتشف عدد من الظواهر التي لم يتمكن من تفسيرها عن طريق الوصلتين المنفصلتين واستتبع هذا ظهور الفكرة الأساسية لمقحل التوصيل.</div>
<div align="right">في عام 1947م قام "[[جون باردين]]" (John Bardeen) و"[[والتر براتين]]" في معامل "AT & T bell "في الولايات المتحدة الأمريكية بملاحظة انه عند توصيل مصدر كهربي على بلورة من الجرمانيوم ان الطاقة الناتجة أكبر من طاقة المصدر الكهربي الداخلة وقد قام "[[وليام شوكلى]]" بمعرفة السبب في ذلك وعلى مدار شهور قليلة عملوا على التوسع الكبير لعلوم أشباه الموصلات وقد جاء اسم الترانزستور من الكلمة الإنجليزية "Transfer resistor" التي تعني ناقل المقاومة.</div>
