ذاكرة وميضية: الفرق بين النسختين

=== النوع المبني على ترانزستور Floating-gate===

{{مفصلة | ترانزيستور موسفيت ذو البوابات الطافية }}

=== النوع المبني على الدوائر الالكترونية NOR ===

[[Image:NOR flash layout.svg|thumb|left| NOR flash memory wiring and structure on silicon]]

[[Image:Flash-Programming.svg|thumb|right|Programming a NOR memory cell (setting it to logical 0), via hot-electron injection.]]

[[Image:Flash erase.svg|thumb|left|Erasing a NOR memory cell (setting it to logical 1), via quantum tunneling.]]

 

[[Image:Nand flash structure.svg|thumb|left|NAND flash memory wiring and structure on silicon]]

 

=== ذاكرة NOR ===

 

=== ذاكرة NAND ===

 

== أنظمة الملفات المستخدمة مع [[الذاكرة الوميضية]] ==

ليس واضح كم من الفترة الزمنية ستظل ثابتة تحت الظروف الارشيفية بمعنى درجة الحرارة والرطوبة مع الوصول الغير منتظم بكتابة عادية أو بكتابة وقائية .<ref>{{مرجع ويب|العنوان=8-Bit AVR Microcontroller ATmega32A Datasheet Complete |التاريخ=2016-02-19 |تاريخ الوصول=2016-05-29 |الصفحات=18 |المسار=https://www.atmel.com/images/atmel-8155-8-bit-microcontroller-avr-atmega32a_datasheet.pdf |quote=Reliability Qualification results show that the projected data retention failure rate is much less than 1 PPM over 20 years at 85°C or 100 years at 25°C}}</ref>

 

== قابلية التوسع الوميضية Flash Scalability ==

[[Image:NAND scaling timeline.png|left|thumb|350px|The aggressive trend of the shrinking process design rule or technology node in NAND flash memory technology effectively accelerates Moore's Law.]]

 

{{تحديد}}

{| class="wikitable" border="1"

{{مراجع}}

[http://www.letsgodigital.org/en/flash_memory_cards.html Flash memory database]

{{تصنيف كومنز|Flash memory}}

{{نظم ملفات}}

 

[[تصنيف:اختراعات يابانية]]