ويكيبيديا

ذاكرة وميضية: الفرق بين النسختين

تصفح التاريخ تفاعلياً
[نسخة منشورة][نسخة منشورة]
→ التعديل السابقالتعديل اللاحق ←
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
مرئينص الويكي
JarBot (نقاش | مساهمات)
17٬592٬533 edits
سطر 2:
{{أنواع ذواكر الحاسوب}}
 
'''الذاكرة الوميضية''' {{إنج|Flash memory}} أو كما تسمى أحيانا '''ذاكرة فلاش'''، هي [[ذاكرة]] حاسوب [[ذاكرة غير متلاشية|غير متلاشية]] (Non-volatile)، قابلة للمسح وإعادة البرمجة بشكل رقمي. وهي نوع من أنواع الذاكرة [[ذاكرة الكمبيوتر eeprom|eeprom]] تمسح وتبرمج في كتل تتألف من مواقع متعددة (في البدايات كانت الشريحة الداخلية تمسح بأكملها في المرة الواحدة) إن تكلفة الذواكر الوميضية أقل بكثير من [[ذاكرة الكمبيوتر eeprom|eeprom]] ولذلك أصبحت التقنية المسيطرة في كل مكان يتطلب التخزين المتراص للكميات الكبيرة من المعلومات الهامة. كأمثلة على تطبيقاتها تتضمن، مشغلات الـ audio الرقمية، [[كاميرا رقمية ذات عدسة أحادية عاكسة|كاميرات رقمية]] و[[هاتف نقال|هواتف نقالة]]. وهي تستخدم أيضا في [[مشغلات USB]] الوميضية والتي تستخدم للتخزين العام ونقل المعطيات بين الحواسيب. وقد كسبت أيضا بعض الشعبية في محلات الألعاب حيث تستخدم بدلا عن الذواكر [[ذاكرة الكمبيوتر eeprom|eeprom]] ومزودات الطاقة للذواكر [[Sذاكرة RAMالوصول العشوائي الساكنة]] وذلك لحفظ معطيات اللعبة.
 
== نظرة عميقة ==
سطر 11:
 
=== النوع المبني على ترانزستور Floating-gate===
{{mainمفصلة | ترانزيستور موسفيت ذو البوابات الطافية }}
{{...قسم فارغ}}
=== النوع المبني على الدوائر الالكترونية NOR ===
{{...قسم فارغ}}
[[Image:NOR flash layout.svg|thumb|left| NOR flash memory wiring and structure on silicon]]
[[Image:Flash-Programming.svg|thumb|right|Programming a NOR memory cell (setting it to logical 0), via hot-electron injection.]]
سطر 20:
 
==== برمجتها ====
{{...قسم فارغ}}
==== مسحها ====
{{...قسم فارغ}}
{{clearتحديد}}
[[Image:Nand flash structure.svg|thumb|left|NAND flash memory wiring and structure on silicon]]
 
 
=== النوع المبني على الدوائر الالكترونية NAND ===
{{...قسم فارغ}}
 
=== النوع المبني على الدوائر الالكترونية vertical NAND ===
{{...قسم فارغ}}
 
== حدودها ==
{{...قسم فارغ}}
=== تشويش القراءة ===
{{...قسم فارغ}}
=== تاثيرات إكس راي ===
{{...قسم فارغ}}
 
== وصول المستويات الاقل Low-Level access==
{{...قسم فارغ}}
 
=== ذاكرة NOR ===
السطر 48 ⟵ 47:
 
=== مقاييس Standardization ===
{{...قسم فارغ}}
 
==التمييز بين NAND و NOR ==
{{...قسم فارغ}}
 
== أنظمة الملفات المستخدمة مع [[الذاكرة الوميضية]] ==
نتيجة للخصائص الاستثنائية التي تتمتع بها [[الذاكرة الوميضية]] يكون من الأفضل استخدام على وجه التحديد نظام الملفات الذي يكتب فوق الوسائط ويستطيع التعامل مع الزمن الطويل اللازم للمحي في الكتل الوميضية.
 
الفكرة الأساسية الكامنة وراء نظم الملفات الوميضية هي '''كمايلي''' :
 
- عندما يتم تحديث مكان التخزين الوميضي فإن نظام الملفات الوميضي سوف يكتب نسخة جديدة من البيانات المغيرة فوق كتل ذاكرية حرة ثم يعيد تشكيل خريطة مؤشرات الملفات وبعدها يقوم بحذف الكتل القديمة لاحقا عندما يتسنى له الوقت.
السطر 94 ⟵ 93:
 
== صناعة Industry ==
{{...قسم فارغ}}
== قابلية التوسع الوميضية Flash Scalability ==
[[Image:NAND scaling timeline.png|left|thumb|350px|The aggressive trend of the shrinking process design rule or technology node in NAND flash memory technology effectively accelerates Moore's Law.]]
 
{{...قسم فارغ}}
{{clearتحديد}}
{| class="wikitable" border="1"
|-
السطر 134 ⟵ 133:
 
{{نظم ملفات}}
 
[[تصنيف:اختراعات يابانية]]
[[تصنيف:بنية الحاسوب]]
مجلوبة من «https://ar.wikipedia.org/wiki/ذاكرة_وميضية»