ذاكرة قراءة فقط قابلة للبرمجة والمسح الكهربائي: الفرق بين النسختين

{{أنواع ذواكر الحاسوب}}

 

'''ذاكرة القراءة القابلة للمسح''' هي عبارة عن [[ذاكرة حاسوب|ذاكرات]] قابلة للبرمجة والمسح [[كهرباء|كهربائيا]].

 

==ذاكرة الكمبيوتر EEPROM==

===SDRAM===

=== EDO DRAM ===

 

ما الاسم الذي جاء منه اختصار

يوجد أمرين مشتركين بين هذه الأنواع :

-البيانات لا تضيع عند قطع التيار الكهربائي كما يحدث في RAM

 

== الذاكرة EEPROM ==

-تغيير المحتويات لا يحتاج إلى أدوات خاصة أو أجهزة

 

-الكتابة(التفريغ أو الشحن) يتم على مستوى الخلية أي بالتدريج كل مرة بايت واحد مما يجعلها بطيئة جداً

== كيفية استخدام الـEEPROM في المعالجات ==

 

 

يوجد في الـPIC أربع مسجِّلات تستخدم في الوصول إلى ذاكرة الـ EEPROM، هذه المسجلات هي :

=== مسجل EEDATA ===

 

 

=== مسجل EEADR ===

MOVLW 2h

 

 

و لكِّن لحظة !.. كُنت تريد القراءة من الموقع الثالث، لماذا إذن وضعنا القيمة H2 ؟ …

المسجِّل EECON1 موجود في الصفحة 1 من الـ RAM وبالتالي قبل الوصول إليه لا بُدَّ من تفعيل الخانة RP0 في مسجِّل الـ STATUS (مسجِّل الحالة) :

 

 

و للقراءة من الموقِع قم بتفعيل الخانة RD إلى القيمة 1 :

 

 

عندما نقوم بجعل قيمة RD مساوية لـ 1 فإنّ الـ PIC ترى آلياً القيمة الموجودة في EEADR وتستخدمها كعنوان لذاكرة EEPROM التي ستقوم بالقراءة منها، وبعد قراءة الموقع توضع المعطيات في المسجِّل EEDATA وعندما يتُّم ذلكَ يتم إرجاع الخانة RD إلى 0 مجدداً.

كل ما سبق يتُّم أثناء تنفيذ التعليمة :

 

المعطيات الآن موجودة في EEDATA ويمكننا أن نعمل بها ما نشاء، هذا المسجِّل موجود في الصفحة 0 من ذاكرة RAM وبالتالي لا بُدَّ أن نمحي الخانة RP0 في STATUS قبل الوصول إليه :

bcf STATUS، RP0

 

فيما يلي مجموعة التعليمات اللازمة للقراءة من EEPROM :

STATUS، RP0 bcf

 

نضع هذه التعليمات في إجرائية SUBROUTINE بمنتهى السهولة، وكل ما نحتاجه لاستخدامها هو وضع عنوان الـ EEPROM في المسجِّل W، وبعد تنفيذ هذه الإجرائية فإنَّ القيمة التي سترجعها سوف يتم وضعها في المسجِّل W :

EEDATA، W movf

 

لاستخدام هذه الإجرائية قم بشحن المسجِّل W بالعنوان ثم قم باستدعائها..

STATUS، Z btfss

 

إن إجرائية EepRead قد لا تُنَفَّذ بشكل جيد إذا لم تكُن حذِراً..هل يُمكنِكَ تخمين سبب ذلك ؟؟ ما الذي يجري عندما تكون الخانة RP0 في المسجِّل STATUS لها قيمة '1 ' في الوقت الذي يتُّم فيه استدعاء الإجرائية ؟؟..

EEDATA، W movf

 

هذا بالفِعل مثال رائِع لتوضيح دور الخانة RP0 في العملية.. يُمكِنُكَ من خلاله ملاحظة عدد مرات استخدامها، وإنَّ هذه الإجرائية لن تعمل بدونها..

0x45 movlw

 

الترتيب غير ضروري في كتابة التعليمات السابقة (شحن المسجِّلات). الآن حتى نُعلِمَ الـ PIC أننّا نريد كتابة قيمة في الـ EEPROM، فإننا نحتاج لتفعيل بعض الخانات الخاصّة في المسجِّل EECON1، أحد هذه الخانات الخاصة هي WT (الخانة 1) وهي اختصار لـ WRITE (كتابة). والخانة الأُخرى هي WREN (الخانة 2) وهي اختصار لـ WRITE ENABLE (تأهيل القراءة)، تبدو هاتان الخانتان متشابهتين، ولكِّن في الحقيقة لهما وظيفتان مختلفتان قليلاً.

قبل أن تتُّم الكتابة يجب تأهيل WREN أي جعلها'1'، في حال كانَت 0 فإنّ الـ PIC لن تكتُبَ شيئاً من المعطيات حتى لو طُلِبَ مِنها ذلِك. المسجِّل EECON1 متوضِّع في الصفحة 1 من ذاكرة الـ RAM وبالتالي للوصول إليه سوف نضع الخانةRP0 في المسجِّل STATUS على الوضع '1' كالتالي :

 

ولتفعيل الكتابة قم فقط بتأهيل WREN أي جعله'1' :

 

 

لجعل الـ PIC تبدأ بالكتابة في الـ EEPROM لا بُدَّ من استخدام التعليمات السابقة، بل لا بُدَّ من كتابتها بنفس الشكل الذي ورَدَت فيه تماماً، وبنفس الترتيب حتماً..

EECON2 movwf

 

بعد تنفيذ هذه التعليمات، وبِجعلِكَ الخانة WT مساوية '1'، فإنَّ الـ PIC سوف ترى القيمة المخزَّنة في EEADR على أنَّها عنوان موقع الـ EEPROM الذي ستكتُب فيه، كما أنَّها ترى القيمة المخزَّنة في EEDATA على أنَّها المعطيات التي ستكتبها.

إنَّ عملية الكتابة التي تقوم بِها الـPIC في الـ EEPROM تأخُذُ وقتاً، وذلِكَ بسبب طبيعة هذه الذاكرة. إنَّ سرعة القراءة من الـ EEPROM من مرِتبة سرعة القراءة من الـ RAM الاعتيادية ولكِن الذي يأخُذ وقتاً هو الحاجة لتخزين المعطيات بشكل مؤقت إلى أن تُكتَب مِن جديد.

 

إن الزمن الذي تستغرقه عمليّة الكتابة عادة ما يكون 10ms (أي 10 أجزاء من ألف من الثانية) هذا لا يبدو كثيراً، إلا أنه زمن طويل نسبياً في أبجدية المعالِجات الصِغَريّة.. إنَّ الـPIC التي تعمل على ساعة بسُرعة 4 MHz قادرة على تنفيذ 10.000 تعليمة بنفس الزمن الذي تستغرقه عملية كتابة واحِدة.

 

{{تصنيف كومنز|EEPROM}}

 

[[تصنيف:اختراعات أمريكية]]