أكسيد الهافنيوم الرباعي: الفرق بين النسختين
[نسخة منشورة] | [نسخة منشورة] |
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
ط تغيير القوالب: ثبت المراجع |
|||
سطر 57:
== الاستخدامات ==
* يستخدم أكسيد الهافنيوم الرباعي في [[طلي بصري|الطلي البصري]] Optical coating، كما أن له قيمة [[ثابت العازل|ثابت عزل]] كهربائي عالية في [[مكثفة|مكثفات]] [[ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية]]. إن أكسيد الهافنيوم من المركبات المرشحة حالياً لحلول محل [[ثنائي أكسيد السيليكون]] كعازل في [[مقحل حقلي|المقحلات الحقلية]] (ترانزستورات حقلية)، ويعود ذلك إلى ارتفاع قيمة ثلبت العزل الكهربائي التي تبلغ 25، في حين أنها لثنائي أكسيد السيليكون 3.9. <ref>[
* بسبب ارتفاع [[نقطة انصهار|نقطة انصهاره]] فإن أكسيد الهفنيوم الرباعي يستخدم كمادة عاكسة مستخدمة في عزل أجهزة مثل [[مزدوجة حرارية|المزدوجة الحرارية]]، والتي يمكن أن تعمل عند درجات حرارة مرتفة تصل إلى 2500°س. <ref>[http://www.omega.co.uk/ppt/pptsc.asp?ref=XTA-W5R26&Nav=tema06 ''Very High Temperature Exotic Thermocouple Probes'' product data], Omega Engineering, Inc., retrieved 2008-12-03</ref>
* يستخدم أكسيد الهافنيوم الرباعي في تركيب [[ذاكرة الوصول العشوائي غير المتطايرة]] المبنية من [[أنابيب نانوية كربونية]]، حيث حلت محل ثنائي أكسيد السيليكون كمادة عازلة فيها، مما قلل من الزمن اللازم للوصول إلى الذاكرة من عدة ميلي ثوان إلى حوالي 100 [[نانو ثانية]]، بالتالي رفع من كفاءة قراءة وكتابة هذه الذواكر إلى عامل 100,000. <ref>[http://www.newscientist.com/article/dn16540-nanotube-memory-flashes-past-silicon.html ''Nanotube memory flashes past silicon'' NewScientist], Article written 05 February 2009 by David Robson </ref>
|