إشابة: الفرق بين النسختين
| [نسخة منشورة] | [نسخة منشورة] |
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
Mn-imhotep (نقاش | مساهمات) لا ملخص تعديل |
Mn-imhotep (نقاش | مساهمات) لا ملخص تعديل |
||
سطر 3:
تستخدم [[زرنيخيد غاليوم ثلاثي ]] النقي كحامل للتشويب ، فهو [[شبه موصل]].
عند إضافة كمية قليلة من مادة [[مانحة]] تحتوي 5 إلكترونات مثل ال[[إثمد|أنتيمون]] أو [[فوسفور|الفوسفور]] أو [[زرنيخ|الزرنيخ]] أو غيرها من من عناصر المجموعة الخامسة ب[[جدول دوري|الجدول الدوري]] إلى السيليكون النقي تصبح بلوراته مشوبة حينها بلورة [[شبه موصل سالب]] أما إذا أضيف للبلورة النقية مادة [[متقبلة]] من عناصر المجموعة الثالثة تحتوي ذراتها على ثلاثة الكترونات فعندها ستشكل الالكترونات الثلاث [[رابطة تساهمية]] مع الكترونات الذرات المجاورة وتبقى الرابطة الرابعة غير مكتملة مما يؤدي إلى تكون [[فجوة إلكترونية]] وتسمى البلورة من هذا النوع بلورة [[شبه موصل موجب]]
==بعض الأنواع==
نوع III-V-GaAs وهو [[زرخينيد غاليوم ثلاثي ]] نقي يشوب بقليل من [[كربون|الكربون ]] فيكون [[فجوات إلكترونية ]] (موجب الشحنات ) ، أما إذا طعم ب[[تلوريوم]] فيصبح غنيا بالإلكترونات وبالتالي يحتوي على شحنات سالبة .
Eine andere in der Mikroelektronik häufig genutzte Anwendung ist das Dotieren von [[Siliciumdioxid]] mit Bor oder Phosphor. Das entstehende [[Borphosphorsilikatglas]] (BPSG) hat einen um 600 bis 700 [[Kelvin]] niedrigeren [[Schmelzpunkt]] als Siliciumdioxid. Dadurch eignet sich BPSG beispielsweise für die Planarisierung der Waferoberfläche mit Hilfe eines Reflow-Prozesses.
== انظر أيضاً ==
| |||