أكسيد الهافنيوم الرباعي: الفرق بين النسختين

* يتميز أكسيد الهافنيوم الرباعي بأنه عازل كهربائي، [[فجوة النطاق]] له تبلغ حوالي 6 [[إلكترون فولت]]. أما [[قرينة الانكسار]] فتتفاوت بين 1.95 و 2و2.

* يستخدم أكسيد الهافنيوم الرباعي في [[طلي بصري|الطلي البصري]] Optical coating، كما أن له قيمة [[ثابت العازل|ثابت عزل]] كهربائي عالية في [[مكثفة|مكثفات]] [[ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية]]. إن أكسيد الهافنيوم من المركبات المرشحة حالياً لحلول محل [[ثنائي أكسيد السيليكون]] كعازل في [[مقحل حقلي|المقحلات الحقلية]] (ترانزستورات حقلية)، ويعود ذلك إلى ارتفاع قيمة ثلبت العزل الكهربائي التي تبلغ 25، في حين أنها لثنائي أكسيد السيليكون 3.9. <ref>[http://dx.doi.org/10.1063/1.1361065 Review article] by Wilk ''et al.'' in the Journal of Applied Physics, Table 1</ref> نظراً لخواصه المميزة فإن كلاً من شركتي [[آي‌ بي‌ إم]] و [[إنتل]] يخططان لاستعماله كدعامة [[دارة متكاملة|للدارات المتكاملة]] المستقبلية، وذلك من أجل رفع كفاءة عمل الدارات الإلكترونية في الحاسوب. <ref>[http://www.nytimes.com/2007/01/27/technology/27chip.html "Intel Says Chips Will Run Faster, Using Less Power"], ''New York Times'', 2007-01-27</ref>